RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2479
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link