RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3937
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link