RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2354
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link