RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2680
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link