RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Porównaj
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
19.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
14.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3671
2925
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link