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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
45
Velocidad de lectura, GB/s
19.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3671
2925
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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