RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2358
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link