RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3711
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link