RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3473
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link