RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2298
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link