Porównanie pamięci RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Wynik ogólny

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 28

Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.8 12

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 8.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2274 2347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns