RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2443
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link