RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2782
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link