RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
51
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2687
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link