RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2389
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link