RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
46
Por volta de -24% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
9.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2389
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link