RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
62
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
62
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1586
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link