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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
62
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
62
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
6.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
1586
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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