RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2370
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link