RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
11.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2370
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link