RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3009
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link