RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2499
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link