RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2499
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link