RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2499
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link