RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2499
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link