RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3392
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link