RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3392
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link