RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
29
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
11.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3392
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link