RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2457
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905295-015.B00LF 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link