RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
35
Velocità di lettura, GB/s
17.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
2457
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link