Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 37
    Wokół strony 41% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 14.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    22 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 14.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 10.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3075 left arrow 2438
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania