Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 37
    Около 41% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    22 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.7 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3075 left arrow 2438
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения