RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3462
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link