RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2046
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link