RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2046
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link