RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
3.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2346
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link