RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3734
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link