RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3933
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link