RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3084
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link