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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
2,936.9
16.1
写入速度,GB/s
1,884.0
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3084
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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