RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2254
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link