RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2808
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link