RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
46
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
2717
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link