RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
77
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
46
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2717
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link