RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
70
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
70
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1971
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link