RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2732
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link