RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2732
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link