RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
3509
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link