RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3509
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link