RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2571
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link