RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
7.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
1939
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link