RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
49
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2413
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link