RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
55
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2438
2078
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link